Evaluation of Band Structure of Single Crystalline Si-Rich SiSn thin Film

We evaluated the bandgap energy and optical properties of single-crystalline silicon-tin (Si 1- x Sn x ) thin films utilizing Photoluminescence (PL), spectroscopic ellipsometry (SE), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The PL and SE results showed that the indirect and direct bandgap energy...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ECS transactions 2024-09, Vol.114 (2), p.225-232
Hauptverfasser:	Ishizaki, Hioki, Yokogawa, Ryo, Ito, Yuta, Minowa, Takuya, Kurosawa, Masashi, Ogura, Atsushi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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