Selective Annealing Effects of Asymmetric Schottky-Type AlGaN Metal-Semiconductor-Metal UV-B Sensor

We proposed and fabricated AlGaN/GaN-based asymmetric Schottky-type metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet (UV) photodiode with as-deposited Ti/Al/Ni/Au and Ni/Au as Schottky contact metal schemes. Ti/Al/Ni/Au electrode was annealed locally by using the electrical breakdown of a sacrificial ins...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ECS transactions 2019-07, Vol.92 (6), p.19-23
Hauptverfasser:	Park, Byeong-Jun, Seol, Jeong-Hoon, Hahm, Sung-Ho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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