α-In2Se3/Nb-doped MoSh2 heterojunction: a first-principles study

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2024-01, Vol.39 (1)
Hauptverfasser:	Lv, Xiurui, Liu, Guipeng, Mao, Bangyao, Huang, Heyuan, Zhao, Guijuan, Yang, Jianhong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	band alignment first principle calculations heterojunction In Nb-doped MoS
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!