Strain engineering in optoelectronic properties of MoSi2N4 monolayer: ultrahigh tunability
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Veröffentlicht in: | Semiconductor science and technology 2022-06, Vol.37 (6) |
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1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | |
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ISSN: | 0268-1242 1361-6641 |
DOI: | 10.1088/1361-6641/ac6769 |