Thermal boundary resistance of direct van der Waals bonded GaN-on-diamond

Carbide forming interlayers, such as amorphous silicon nitride, are typically used for GaN-on-diamond heterogenous integration. This interlayer has a low thermal conductivity, introducing an additional extrinsic interfacial thermal resistance. It may therefore be advantageous to omit this layer, dir...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2020-09, Vol.35 (9), p.95021
Hauptverfasser:	Waller, William M, Pomeroy, James W, Field, Daniel, Smith, Edmund J W, May, Paul W, Kuball, Martin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	2D materials acoustic mismatch model GaN-on-diamond phonon transmission thermal barrier van der Waals wafer bonding
Online-Zugang:	Volltext
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