Flow modulation metalorganic vapor phase epitaxy of GaN at temperatures below 600 ºC

Heterogeneous integration of materials systems for devices and circuits is becoming of increasing interest, particularly for the wide bandgap nitrides in both optoelectronic and electronic applications. However, typical high growth temperatures of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy prevent the...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2020-09, Vol.35 (9), p.95014
Hauptverfasser:	Reilly, Caroline E, Mates, Thomas E, Webb, Micah, Nakamura, Shuji, DenBaars, Steven P, Keller, Stacia
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	flow modulation epitaxy GaN metalorganic vapor phase epitaxy MOCVD nitride
Online-Zugang:	Volltext
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