Mist chemical vapor deposition of crystalline MoS2 atomic layer films using sequential mist supply mode and its application in field-effect transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2022-01, Vol.33 (4)
Hauptverfasser:	Kuddus, Abdul, Rajib, Arifuzzaman, Yokoyama, Kojun, Shida, Tomohiro, Ueno, Keiji, Shirai, Hajime
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	FETs mist CVD mono/bilayer MoS sequential mist supply sulfurization
Online-Zugang:	Volltext
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