Cathodoluminescence of polarization-induced energy states at AlGaN/GaN interface

Recent progress in manufacturing high-electron-mobility transistors and optoelectronic devices highlights the necessity of understanding the charge dynamics and its impact on the optical properties inside heterostructures. Herein, we study the optical properties of GaN / A l 0.23 G a 0.77 N / GaN he...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physics. D, Applied physics Applied physics, 2024-11, Vol.57 (46), p.465104
Hauptverfasser:	Chahshouri, Fatemeh, Taleb, Masoud, Black, Maximilian, Mensing, Michael, Talebi, Nahid
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	2DEG AlGaN/GaN heterojunction cathodoluminescence defect based luminescence Monto Carlo simulation
Online-Zugang:	Volltext
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