Determination of etching parameters for pulsed XeF2 etching of silicon using chamber pressure data

A technique is presented for determination of the depletion of the etchant, etched depth, and instantaneous etch rate for Si etching with XeF2 in a pulsed etching system in real time. The only experimental data required is the pressure data collected temporally. Coupling the pressure data with the k...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of micromechanics and microengineering 2018-02, Vol.28 (4)
Hauptverfasser:	Sarkar, Dipta, Baboly, M G, Elahi, M M, Abbas, K, Butner, J, Piñon, D, Ward, T L, Hieber, Tyler, Schuberth, Austin, Leseman, Z C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	etch rate etching technique pulsed etching silicon XeF
Online-Zugang:	Volltext
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