Reliable Aluminum Wire-Bonded SiC/Si Diodes With Laminated Al/Cu Stress Buffers

Operation temperature of typical wire-bonded power modules, especially for harder silicon carbide (SiC) power chips, keeps increasing. The thermo-mechanical reliability of aluminum (Al) wire-bonds which suffer from the mismatch of coefficient of thermal expansion (CTE) between chip and bonding wires...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on power electronics 2022-09, Vol.37 (9), p.10149-10153
Hauptverfasser:	Li, Xiao-Di, Lu, Guo-Quan, Mei, Yun-Hui
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum Aluminum (Al) wires Bonding Buffers Copper Copper wire die-top lifetime prediction packaging Prediction models Reliability Schottky diodes SiC module Silicon Silicon carbide Strain Stress Thermal expansion Wire Wires
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