The influence of BF/sub 2/ and F implants on the 1/f noise in SiGe HBTs with a self-aligned link base

A study is made of 1/f noise in SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) fabricated using selective growth (SEG) of the Si collector and nonselective growth (NSEG) of the SiGe base and Si emitter cap. The transistors incorporate a self-aligned link base formed by BF/sub 2/ implantation into th...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2001-12, Vol.48 (12), p.2808-2815
Hauptverfasser:	Lukyanchikova, N., Garbar, N., Petrichuk, M., Schiz, J.F.W., Ashburn, P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Germanium alloys
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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