Disorder Originated Unusual Mobility in Crystalline InGaZnO4
Using calculations from first principles, the site disorder between Ga and Zn of crystalline InGaZnO 4 is shown to play key roles in its unique transport properties. The analysis based on Density Functional Theory reveals that the various types of scattering centers stem from the charge imbalance be...
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Veröffentlicht in: | IEEE electron device letters 2020-06, Vol.41 (6), p.872-875 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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