A Facile Doping Process of the Organic Inter-Layer Dielectric for Self-Aligned Coplanar In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors

A new doping technique to form the conductive source/drain regions of self-aligned coplanar In-GaZn-O (IGZO) thin-film transistors (TFTs) was demonstrated. The electrical resistivity of the IGZO film was reduced to 3.8×10 -4 Ω·cm after simply coating the organic inter-layer dielectric thin film. The...

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Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 2020-03, Vol.41 (3), p.393-396
Hauptverfasser: Kim, Hyo-Eun, Furuta, Mamoru, Yoon, Sung-Min
Format: Artikel
Sprache:eng
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