Reduced Contact Resistance in GaN Using Selective Area Si Ion Implantation

We report selective area n-type doping using ion implantation of Si into semi-insulating, C-doped GaN samples activated using both conventional rapid thermal annealing (RTA) and 30 atm N 2 overpressure annealing. Implanted regions were tested for Si activation using Circular Transmission Line Measur...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on semiconductor manufacturing 2019-11, Vol.32 (4), p.478-482
Hauptverfasser:	Gallagher, James C., Kub, Francis J., Anderson, Travis J., Koehler, Andrew D., Foster, Geoffrey M., Jacobs, Alan G., Feigelson, Boris N., Mastro, Michael A., Hite, Jennifer K., Hobart, Karl D.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Activation Annealing Contact resistance Gallium nitride GaN ion activation Ion implantation Nitrogen Overpressure PCSS Silicon SMRTA Switches Temperature measurement Test vehicles Transmission lines
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