A Comparison Review of the Resonant Gate Driver in the Silicon MOSFET and the GaN Transistor Application

The increasing transistor power loss brought by the high switching frequency places a limit to the future high power density converter design. A review of resonant gate drivers is given in this paper to provide a vision for its future application. Various resonant gate driver topologies from the pri...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on industry applications 2019-11, Vol.55 (6), p.7776-7786
Hauptverfasser: Sun, Bainan, Zhang, Zhe, Andersen, Michael A. E.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!