A Comparison Review of the Resonant Gate Driver in the Silicon MOSFET and the GaN Transistor Application
The increasing transistor power loss brought by the high switching frequency places a limit to the future high power density converter design. A review of resonant gate drivers is given in this paper to provide a vision for its future application. Various resonant gate driver topologies from the pri...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on industry applications 2019-11, Vol.55 (6), p.7776-7786 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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