Monolayer MoS2 Strained to 1.3% With a Microelectromechanical System
We report on a modified transfer technique for atomically thin materials integrated into microelectromechanical systems (MEMS) for studying strain physics and creating strain-based devices. Our method tolerates the non-planar structures and fragility of MEMS while still providing precise positioning...
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Veröffentlicht in: | Journal of microelectromechanical systems 2019-04, Vol.28 (2), p.254-263 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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