A 550-ps access 900-MHz 1-Mb ECL-CMOS SRAM

An ultrahigh-speed 1-Mb emitter-coupled logic (ECL)-CMOS SRAM with 550-ps clock-access time, 900-MHz operating frequency, and 12-/spl mu/m/sup 2/ memory cells has been developed using 0.2-/spl mu/m BiCMOS technology. Three key techniques for achieving the ultrahigh speed are a BiCMOS word decoder/dr...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE journal of solid-state circuits 2000-08, Vol.35 (8), p.1159-1168
Hauptverfasser:	Nambu, H., Kanetani, K., Yamasaki, K., Higeta, K., Usami, M., Nishiyama, M., Ohhata, K., Arakawa, F., Kusunoki, T., Yamaguchi, K., Hotta, A., Homma, N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	BiCMOS integrated circuits Circuits Clocks Decoders Decoding Delay Driver circuits Drivers Emittance Frequency Logic MOS devices Power dissipation Random access memory Sense amplifiers Static random access memory Voltage
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