Broadband MMIC LNAs for ALMA Band 2+3 With Noise Temperature Below 28 K

Recent advancements in transistor technology, such as the 35 nm InP HEMT, allow for the development of monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low noise amplifiers (LNAs) with performance properties that challenge the hegemony of SIS mixers as leading radio astronomy detectors at frequencies...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on microwave theory and techniques 2017-05, Vol.65 (5), p.1589-1597
Hauptverfasser: Cuadrado-Calle, David, George, Danielle, Fuller, Gary A., Cleary, Kieran, Samoska, Lorene, Kangaslahti, Pekka, Kooi, Jacob W., Soria, Mary, Varonen, Mikko, Lai, Richard, Mei, Xiaobing
Format: Artikel
Sprache:eng
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