A high-frequency fully differential BiCMOS operational amplifier

A high-frequency fully differential BiCMOS operational amplifier design for use in switched-capacitor circuits is presented. The operational amplifier is integrated in a 3.0-GHz, 2- mu m BiCMOS process with an active die area of 1.0 mm*1.2 mm. This BiCMOS op amp offers an infinite input resistance,...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE journal of solid-state circuits 1991-03, Vol.26 (3), p.203-208
Hauptverfasser: Karanicolas, A.N., O, K.K., Wang, J.Y.A., Lee, H.-S., Reif, R.L.
Format: Artikel
Sprache:eng
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