A high-frequency fully differential BiCMOS operational amplifier
A high-frequency fully differential BiCMOS operational amplifier design for use in switched-capacitor circuits is presented. The operational amplifier is integrated in a 3.0-GHz, 2- mu m BiCMOS process with an active die area of 1.0 mm*1.2 mm. This BiCMOS op amp offers an infinite input resistance,...
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Veröffentlicht in: | IEEE journal of solid-state circuits 1991-03, Vol.26 (3), p.203-208 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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