General Geometric Fluctuation Modeling for Device Variability Analysis
We propose a new modeling approach based on the impedance field method (IFM) to analyze the general geometric variations in device simulations. Compared with the direct modeling of multiple variational devices, the proposed geometric variation (GV) model shows a better efficiency thanks to its IFM-b...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 2015-11, Vol.62 (11), p.3588-3594 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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