The Modeling and Characterization of Poly-Emitter n-p-n Bipolar Transistor in Bicmos Device

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Hong, G.M., Lin, J.Y., Chang, K.Z., Lu, S.G., Hwang, H.L.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	BiCMOS integrated circuits Bipolar transistors Bones Grain boundaries Leakage current Radiative recombination Semiconductor films Silicon Thermal resistance Tunneling
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