D -Band Total Power Radiometer Performance Optimization in an SiGe HBT Technology

A D-band SiGe HBT total power radiometer is reported with a peak responsivity of 28 MV/W, a noise equivalent power (NEP) of 14-18 fW/Hz 1/2 , and a temperature resolution better than 0.35 K for an integration time of 3.125 ms. The 1/f noise corner of the radiometer is lower than 200 Hz. Fabricated i...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on microwave theory and techniques 2012-03, Vol.60 (3), p.813-826
Hauptverfasser:	Dacquay, E., Tomkins, A., Yau, K. H. K., Laskin, E., Chevalier, P., Chantre, A., Sautreuil, B., Voinigescu, S. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	1/f noise corner Amplification Amplifiers Corners D -band detector Detectors Gain Heterojunction bipolar transistors low-noise amplifier (LNA) Noise noise equivalent power (NEP) noise equivalent temperature difference (NETD) noise figure passive imaging radiometer Radiometers Radiometry responsivity SiGe HBT Silicon germanides Silicon germanium
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