A 5.9-to-7.8 GHz VCO in 65 nm CMOS using high-Q inductor in an embedded Wafer Level BGA package

We present a 5.9-to-7.8 GHz voltage-controlled oscillator (VCO) fabricated in a 65 nm CMOS technology and assembled in a chip-scale embedded Wafer Level Ball-Grid-Array (eWLB) package. The VCO uses a high-quality LC-tank inductor, realized in the fan-out area of the package. This inductor achieves a...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Issakov, V., Wojnowski, M., Knoblinger, G., Fulde, M., Pressel, K., Sommer, G.
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
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