Productivity improvement through systematic process window identification

For development and production of advanced nodes, systematic pattern failure must be well understood to enable quick device introduction. For 45 nm, use of OPC created tremendous challenges in both optimization and validation of proper amount of optical correction needed. For 32 nm and beyond, immer...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Park, A, Chang, E
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
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