Study of charge density at InxGa1-xN/GaN heterostructure interface

Energy-bands in undoped In x Ga 1-x N/GaN heterostructures have been simulated using 1D Poisson/Schrodinger solver: A Band Diagram Calculator, by self-consistent solution of Schrodinger and Poisson equations. The formation of two-dimensional electron gas (2DEG) and two-dimensional hole gas (2DHG) we...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Upal, T.N., Uddin, M.A., Hossain, M., Jahan, F., Mahmood, Z.H.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng ; jpn
Schlagworte:	2DEG 2DHG Buffer layers Charge carrier processes Charge confinement Electron devices Gallium nitride GaN HEMTs heterostructure InGaN MODFETs Physics Piezoelectric polarization Poisson equations Power engineering and energy quantum well
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