Optical characterization of heterojunction bipolar transistors

We report the nondestructive, optical characterization of a heterojunction bipolar transistor (HBT) structure using photoreflectance spectroscopy (PR) and spectral ellipsometry (SE). The PR results show good agreement with capacitance-voltage (C-V) measurements for the dopant concentration in the n-...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE journal of selected topics in quantum electronics 1995-12, Vol.1 (4), p.1011-1016
Hauptverfasser:	Smith, P.B., Duncan, W.M., Allerman, A.A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Ellipsometry Heterojunction bipolar transistors Inductors Instruments Laser excitation Optical amplifiers Optical filters Optical pumping Probes Stimulated emission
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