Displacement damage effects on the forward bias characteristics of SiC Schottky barrier power diodes

Commercial SiC Schottky barrier power diodes have been subjected to 203 MeV proton irradiation and the effects of the resultant displacement damage on the I-V characteristics have been observed. The diodes show excellent resistance to radiation damage. Changes in forward and reverse bias I-V charact...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on nuclear science 2005-12, Vol.52 (6), p.2408-2412
Hauptverfasser:	Harris, R.D., Frasca, A.J., Patton, M.O.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Barriers Bias Current measurement Damage Density Diodes Displacement Displacement damage Electric variables measurement Fluence Forward contracts Instruments NASA Particle beams proton irradiation Protons Schottky barriers Schottky diode Schottky diodes Silicon carbide
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