Si/Si(0.64)Ge(0.36)/Si pMOSFETs with Enhanced Voltage Gain and Low 1/f Noise

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Prest, M.J., Palmer, M.J., Braithwaite, G., Grasby, T.J., Phillips, P.J., Mironov, O.A., Parker, E.H.C., Whall, T.E., Waite, A.M., Evans, A.G.R.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Computer science Frequency Germanium silicon alloys Low voltage MOSFETs Noise reduction Oxidation Physics Silicon germanium Transconductance
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