An InGaP/GaAs Resonant-Tunnelling Bipolar Transistor (RTBT) with Multiple Negative-Differential-Resistance (MNDR) Phenomena

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Chuang, H.M., Lin, K.W., Pan, H.J., Lee, K.M., Liao, X.D., Liu, W.C.
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Bipolar transistors Breakdown voltage Electronics Electrons Exact sciences and technology Gallium arsenide Low voltage Resonant tunneling devices Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices State estimation Stationary state Superlattices Temperature Transistors
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