TA-A2 electrically alterable read-only memory using Si rich SiO2injectors and a floating polycrystalline silicon storage layer
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| Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 1980-11, Vol.27 (11), p.2182-2183 |
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| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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| ISSN: | 0018-9383 |
| DOI: | 10.1109/T-ED.1980.20190 |