Investigation of the four-gate action in G/sup 4/-FETs

The four-gate silicon-on-insulator transistor (G/sup 4/-FET) combines MOS and JFET actions in a single transistor to control the drain current. The various operation modes of the G/sup 4/-FET are analyzed, based on the measured current-voltage, transconductance and threshold characteristics. The mai...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2004-11, Vol.51 (11), p.1931-1935
Hauptverfasser:	Dufrene, B., Akarvardar, K., Cristoloveanu, S., Blalock, B.J., Gentil, R., Kolawa, E., Mojarradi, M.M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Charge carrier mobility JFETs MOSFETs Silicon on insulator technology
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