textit -Axis Oriented HZO on Flat Amorphous TiN Achieving High Uniformity, Breakdown Field, Final 2P } , and Endurance

Metal-ferroelectric-metal (MFM) capacitors with flat amorphous TiN are demonstrated to achieve the \textit{c} -axis of orthorhombic phase (o-phase) well-aligned along the deposition direction, uniform electric field, negligible fatigue, and a high remanent polarization (2P _{\text{r}} ) of 62 \mu...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2024-12, p.1-6
Hauptverfasser: Zhao, Zefu, Liao, Yu-Tsung, Chen, Yu-Rui, Chen, Yun-Wen, Hsieh, Wan-Hsuan, Wang, Jer-Fu, Chen, Yu-An, Lu, Hao-Yi, Hsu, Wei-Teng, Lee, Dai-Ying, Lee, Ming-Hsiu, Liu, C. W.
Format: Artikel
Sprache:eng
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