Total-Ionizing-Dose and Displacement Damage Effects in Trench SiC Power MOSFETs

This study explores the total ionizing dose (TID) and displacement damage (DD) effects in trench silicon carbide (SiC) power MOSFETs. The effects of X-ray irradiation reveal significant negative shifts in the threshold voltage, particularly evident in devices biased with positive gate bias. The TID...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on nuclear science 2024-11, p.1-1
Hauptverfasser:	Bonaldo, S., Martinella, C., Bagatin, M., Gerardin, S., Natzke, P., Kupper, R., Fur, N., Mattiazzo, S., Paccagnella, A., Grossner, U.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Degradation Logic gates MOSFET power devices Protons Radiation effects SiC power MOSFETs Silicon Silicon carbide Temperature measurement Threshold voltage TID Transconductance ultra-high doses
Online-Zugang:	Volltext
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