Low-Noise Resonant Tunneling Diode Terahertz Detector
This article presents a comprehensive analysis of indium phosphide (InP) triple-barrier resonant tunneling diodes (TB-RTDs) operating as direct terahertz (THz) detectors at zero bias. Through analytical derivation, the influence of device dimensions and of current-voltage curvature on voltage respon...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on terahertz science and technology 2025-01, Vol.15 (1), p.107-119 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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