Low-Noise Resonant Tunneling Diode Terahertz Detector

This article presents a comprehensive analysis of indium phosphide (InP) triple-barrier resonant tunneling diodes (TB-RTDs) operating as direct terahertz (THz) detectors at zero bias. Through analytical derivation, the influence of device dimensions and of current-voltage curvature on voltage respon...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on terahertz science and technology 2025-01, Vol.15 (1), p.107-119
Hauptverfasser: Clochiatti, Simone, Grygoriev, Anton, Kress, Robin, Mutlu, Enes, Possberg, Alexander, Vogelsang, Florian, van Delden, Marcel, Pohl, Nils, Weimann, Nils G.
Format: Artikel
Sprache:eng
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