An Analytical Approach for Evaluating Turn-On Switching Losses in SiC MOSFET With Kelvin Pin: Concept and Implementation
With the progressive adoption of silicon carbide (SiC) power devices in modern power converters, exploiting their superior efficiency, faster switching speed, and higher power density, an understanding of the factors influencing these properties becomes vital. One such critical factor is switching l...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 2024-05, Vol.71 (5), p.3116-3122 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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