Effects of post-decoupled-plasma-nitridation annealing of ultra-thin gate oxide

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Lek, C.-M., Byung Jin Cho, Wei Yip Loh, Chew-Hoe Ang, Wenhe Lin, Yun-Ling Tan, Jia-Zheng Zhen, Lap Chan, Shyue Seng Tan, Tu Pei Chen
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing CMOS technology Computer aided manufacturing Drives Helium Laboratories Nitrogen Optical films Plasma temperature Silicon
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