Scaled InAlN/GaN HEMT on Sapphire With \textit} / \textit} of 190/301 GHz

In this brief, a scaled In _{\text{0}.\text{17}} Al _{\text{0}.\text{83}} N/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) was fabricated on sapphire substrate with 47-nm \textit{T} -gate length, 300-nm source-drain distance, and selective area regrown n ^{+} -GaN. The device exhibits cutoff frequenc...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2023-05, p.1-4
Hauptverfasser:	He, Yawei, Zhang, Lian, Cheng, Zhe, Li, Chengcheng, He, Jiaheng, Xie, Shujie, Wu, Xuankun, Wu, Chang, Zhang, Yun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Delays Device scaling electron velocity GaN-on-sapphire HEMTs high-electron-mobility transistor (HEMT) InAlN/GaN Logic gates millimeter wave (mm-wave) MODFETs Silicon Silicon carbide Substrates
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