A 1-kV, 0.84-kV/ns Epi-Si Drift-Step-Recovery Diode

Drift-step-recovery diodes (DSRDs) are key components in nanosecond and subnanosecond pulsed-power solid-state circuits. The fabrication of a high-voltage (HV) diode is typically a four-layer structure, which requires a lengthy, deep diffusion (10's of micrometer) process. The diode voltage is...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on plasma science 2023-04, Vol.51 (4), p.1-5
Hauptverfasser:	Kesar, Amit S., Wolf, Michael, Raizman, Arie, Cohen-Elias, Doron, Zoran, Shoval
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Avalanche diodes Circuit design Die forming Diffusion layers Diodes Drift Drift-step-recovery diode (DSRD) Epitaxial growth Epitaxial layers Fabrication Load distribution Load modeling power semiconductor diode switches pulse generation Recovery Semiconductor diodes Semiconductor process modeling Simulation Solid state Switches Synthetic aperture sonar
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