Simultaneous Extraction of Mobility Enhancement Factor and Threshold Voltage With Parasitic Resistances in Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors

This study presents a technique for simultaneous and consistent extraction of the mobility enhancement factor ( \gamma ) and the threshold voltage ( \textit{V}_{\textit{T}} ) with parasitic source and drain resistances ( \textit{R}_{\textit{S}} and \textit{R}_{\textit{D}} ) in amorphous oxide semi...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2023-05, Vol.70 (5), p.1-5
Hauptverfasser: Park, Ju Young, Kim, Haesung, Yoo, Han Bin, Ryu, Ji Hee, Han, Seung Hyeop, Bae, Jong-Ho, Choi, Sung-Jin, Kim, Dae Hwan, Kim, Dong Myong
Format: Artikel
Sprache:eng
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