Simultaneous Extraction of Mobility Enhancement Factor and Threshold Voltage With Parasitic Resistances in Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors
This study presents a technique for simultaneous and consistent extraction of the mobility enhancement factor ( \gamma ) and the threshold voltage ( \textit{V}_{\textit{T}} ) with parasitic source and drain resistances ( \textit{R}_{\textit{S}} and \textit{R}_{\textit{D}} ) in amorphous oxide semi...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 2023-05, Vol.70 (5), p.1-5 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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