Fabrication and Characterization of Boron-Implanted Silicon Superconducting Thin Films on SOI Substrates for Low-Temperature Detectors
In this paper, we discuss the characterization of boron-doped silicon superconducting thin films with a thickness of 70 nm made on silicon-on-insulator substrates by ion implantation and ultra-violet nanosecond laser annealing under nitrogen at atmospheric pressure. Two different ion-implanted doses...
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Veröffentlicht in: | Journal of low temperature physics 2024-07, Vol.216 (1), p.185-194 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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