Analysis of degradation mechanisms in AlInN/GaN HEMTs by electroluminescence technique

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Solid-state electronics 2017
Hauptverfasser:	Berthet, F., Petitdidier, S., Guhel, Y., Trolet, J.L., Mary, P., Gaquière, Christophe, Boudart, B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Engineering Sciences
Online-Zugang:	Volltext
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