The [10-10] edge dislocation in the wurtzite structure: A high-resolution transmission electron microscopy investigation of [0001] tilt grain boundaries in GaN and ZnO

A detailed topological analysis and atomic structure investigation of [0001] tilt grain boundaries (GBs) in GaN and ZnO has been carried out using atomistic simulation and high-resolution transmission electron microscopy (TEM). The analysis of Σ7 asymmetric GBs in GaN, shows that they are only made...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Acta materialia 2019-08, Vol.175, p.457-465
Hauptverfasser: Li, Siqian, Chen, Jun, Ruterana, Pierre
Format: Artikel
Sprache:eng
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