Photoreflectance study of GaAsSb ∕ InP heterostructures

Photoreflectance (PR) spectroscopy experiments are reported on GaAsSb ∕ InP heterostructures. The GaAsSb PR spectrum is studied as a function of temperature and the transition nature is shown to change from Franz-Keldysh oscillations (FKO) at room temperature to a third derivative functional form (T...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2005-12, Vol.98 (12), p.123524-123524-7
Hauptverfasser:	Chouaib, H., Bru-Chevallier, C., Guillot, G., Lahreche, H., Bove, P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Engineering Sciences Micro and nanotechnologies Microelectronics
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!