Thermal Impedance Extraction From Electrical Measurements for Double‐Ended Gate Transistors
Transistor's thermal impedance is a parameter of prime importance to predict the device peak temperature in applications of power and RF electronics featuring time‐dependent dissipated power. In the context of the upcoming GaN HEMT technology, an innovative methodology is hereby detailed for th...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Physica status solidi. C 2017-11, Vol.14 (11), p.n/a |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!