Thermal Impedance Extraction From Electrical Measurements for Double‐Ended Gate Transistors

Transistor's thermal impedance is a parameter of prime importance to predict the device peak temperature in applications of power and RF electronics featuring time‐dependent dissipated power. In the context of the upcoming GaN HEMT technology, an innovative methodology is hereby detailed for th...

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Veröffentlicht in:Physica status solidi. C 2017-11, Vol.14 (11), p.n/a
Hauptverfasser: Cutivet, Adrien, Bouchilaoun, Meriem, Chakroun, Ahmed, Rodriguez, Christophe, Soltani, Ali, Jaouad, Abdelatif, Boone, François, Maher, Hassan
Format: Artikel
Sprache:eng
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