Edge Termination Design Improvements for 10 kV 4H-SiC Bipolar Diodes

10 kV class 4H-SiC bipolar diodes have been fabricated. Two different edge terminations (Mesa/JTE or MESA/JTE with JTE rings) with two different junction bend radius have been designed and tested. Measurement results show that the inclusion of JTE rings improve the edge termination efficiency. The m...

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Veröffentlicht in:	Materials science forum 2013-01, Vol.740-742, p.609-612, Article 609
Hauptverfasser:	Berthou, Maxime, Nguyen, Duy Minh, Planson, Dominique, Brosselard, Pierre, Huang, Runhua, Phung, Luong Viet, Godignon, Philippe, Vergne, Bertrand
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Bend radius Diodes Electronics Engineering Sciences Inclusions Materials science Mesas
Online-Zugang:	Volltext
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