Planar Edge Schottky Barrier-Tunneling Transistors Using Epitaxial Graphene/SiC Junctions

A purely planar graphene/SiC field effect transistor is presented here. The horizontal current flow over one-dimensional tunneling barrier between planar graphene contact and coplanar two-dimensional SiC channel exhibits superior on/off ratio compared to conventional transistors employing vertical e...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nano letters 2014-09, Vol.14 (9), p.5170-5175
Hauptverfasser:	Kunc, Jan, Hu, Yike, Palmer, James, Guo, Zelei, Hankinson, John, Gamal, Salah H, Berger, Claire, de Heer, Walt A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Physics
Online-Zugang:	Volltext
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