Mechanical and electrical analysis of strained liner effect in 35 nm fully depleted silicon-on-insulator devices with ultra thin silicon channels

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006, p.Part1-45 Issue: 4B (2006) 3058-3063
Hauptverfasser:	Gallon, C., Fenouillet-Beranger, C., Denorme, S., Boeuf, F., Fiori, V., Loubet, N., Vandooren, A., Kormann, T., Broekaart, M., Gouraud, P., Leverd, F., Imbert, G., Chaton, C., Laviron, C., Gabette, L., Vigilant, F., Garnier, P., Bernard, H., Tarnowka, A., Pantel, R., Pionnier, F., Jullian, Sophie, Cristoloveanu, S., Skotnicki, T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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