Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaAs-GaN HEMTs

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronics and reliability 2007-10, Vol.47, p.1639-1642
Hauptverfasser:	Faqir, Mohamed, Verzellesi F. Fantini F. Danesin F. Rampazzo G. Meneghesso E. Zanoni A. Cavallini A. Castaldini, G., Labat, Nathalie, Dua, Christian, Touboul, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Engineering Sciences Micro and nanotechnologies Microelectronics
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!