RF CMOS body-effect circuits

After a theoretical and analytical study of the body effect in MOS transistors, this paper offers two useful models of this parasitic phenomenon. Thanks to these models, a design methodology, which takes advantage of the bulk terminal, allows to turn this well-known body-effect drawback into an anal...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronics 2006-11, Vol.37 (11), p.1251-1260
Hauptverfasser:	Thierry, Taris, Jean-Baptiste, Begueret, Hervé, Lapuyade, Yann, Deval
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Body effect CMOS Engineering Sciences LNA Micro and nanotechnologies Microelectronics Mixer Power amplifier VLSI
Online-Zugang:	Volltext
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