Mechanical and electrical analysis of a strained liner effect in 35nm FDSOI devices with ultra-thin silicon channels

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2006, Vol.45, n± 4B
Hauptverfasser:	C., Gallon, C., Fenouillet-Beranger, S., Denorme, F., Boeuf, V., Fiori, N., Loubet, T., Kormann, M., Broekaart, P., Gouraud, F., Leverd, G., Imbert, C., Chaton, C., Laviron, L., Gabette, F., Vigilanti, P., Garnier, H., Bernard, A., Tarnowka, A., Vandooren, R., Pantel, F., Pionnier, S., Jullian, S., Cr, Skotnicki, T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Engineering Sciences Micro and nanotechnologies Microelectronics
Online-Zugang:	Volltext
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